上海MEMS微纳米加工产业化 深圳市勃望初芯半导体科技供应

基于MEMS技术的SAW器件的工作模式和原理：

声表面波器件一般使用压电晶体(例如石英晶体等)作为媒介，然后通过外加一正电压产生声波，并通过衬底进行传播，然后转换成电信号输出。声表面波传感器中起主导作用的主要是压电效应，其设计时需要考虑多种因素:如相对尺寸、敏感性、效率等。一般地，无线无源声表面波传感器的信号频率范围从40MHz 到几个GHz。图2 所示为声表面波传感器常见的结构，主要部分包括压电衬底天线、敏感薄膜、IDT等 。传感器的敏感层通过改变声表面波的速度来实现频率的变化。

无线无源声表面波系统包:发射器、接收器、声表面波器件、通信频道。发射器和接收器组合成收发器或者解读器的单一模块。图3为声表面波系统及其相互关联的基础部件。解读器将功率传送给声表面波器件，该功率可以是收发器输入的连续波，脉冲或者喝啾 。一般地，声表面波器件获得 的功率大小具有一定限制，以降低发射功率，从而得到相同平均功率的喝啾 。根据各向同性的辐射体，接收的信号一般能通过高效的辐射功率天线发射。 MEMS传感器行业为国内企业追赶提供了契机。上海MEMS微纳米加工产业化

MEMS制作工艺压电器件的常用材料：

氧化锌是一种众所周知的宽带隙半导体材料（室温下3.4 eV，晶体），它有很多应用，如透明导体，压敏电阻，表面声波，气体传感器，压电传感器和UV检测器。并因为可能应用于薄膜晶体管方面正受到相当的关注。同时氧化锌还具有相当良好的生物相容性，可降解性。E.Fortunato教授介绍了基于氧化锌的新型薄膜晶体管所带来的主要优势，这些薄膜晶体管在下一代柔性电子器件中非常有前途。除此之外，还有众多的二维材料被应用于柔性电子领域，包括石墨烯、半导体氧化物，纳米金等。2014年发表在chemical review和nature nanotechnology上的两篇经典综述详尽阐述了二维材料在柔性电子的应用。 广西MEMS微纳米加工平台MEMS器件制造工艺更偏定制化。

MEMS超表面对光电特性的调控：

1.超表面meta-surface对相位的调控：相位是电磁波的一个重要属性，等相位面决定了电磁波的传播方向，一副图像的相位则包含了其立体信息。通过控制电磁波的相位，可以实现光束偏转、超透镜、超全息、涡旋光产生、编码、隐身、幻像等功能。

2.超表面meta-surface对电磁波多个自由度的联合调控：超表面可以实现对电磁波相位、振幅、偏振等自由度的同时调控。比如，通过对电磁波的相位和振幅的联合调控，可以实现立体超全息，通过对电磁波的相位和偏振的联合调控，可以实现矢量涡旋光；通过对电磁波的相位和频率的联合调控，可以实现非线性超透镜等功能。

3.超表面meta-surface对波导模式的调控：可将“超构光学”的概念与各类光波导平台相结合，将超构表面或超构材料集成在各类光波导结构上，则可以在亚波长尺度下对波导中的光信号进行灵活自由的调控。利用上表面集成了超构表面的介质光波导结构，可以实现多功能的光耦合、光探测、偏振/波长解复用、结构光激发、波导模式转化、片上光信号变换、光学神经网络、光路由等应用 。

通过MEMS技术制作的生物传感器，围绕细胞分选检测、生物分子检测、人工听觉微系统等方向，突破了高通量细胞图形化、片上细胞聚焦分选、耳蜗内声电混合刺激、高时空分辨率相位差分检测等一批具有自主知识产权的关键技术，取得了一批原创性成果，研制了具有世界很高水平的高通量原位细胞多模式检测系统、流式细胞仪、系列流式细胞检测芯片等检测仪器，打破了相关领域国际厂商的技术封锁和垄断。总之，面向医疗健康领域的重大需求，经过多年持续的努力，我们取得一系列具有国际先进水平的科研成果，部分技术处于国际前列地位，其中多项技术尚属国际开创。MEMS传感器的主要应用领域有哪些？

高精度姿态/轨道测量新方法并研制了MEMS磁敏感器、MIMU惯性微系统、MEMS太阳敏感器、纳皮型星敏感器等空间微系统，相关成果填补了多项国内空白，已在探月工程、高分专项等国家重大工程以及国内外百余颗型号卫星中得到应用推广，并实现了出口欧、美、日等国。在我国率先开展了微纳航天器的技术创新与工程实践，将三轴稳定方式用于25kg以下的微小卫星，成功研制并运行了国内纳型卫星NS-1卫星，也是当时世界上在轨飞行的“轮控三轴稳定卫星”（2004年）。2015年研制并发射了NS-2（10公斤量级）MEMS技术试验卫星，成功开展了基于MEMS的空间微型化器组件试验研究。NS-2卫星的有效载荷包括纳型星敏感器、低功耗MEMS太阳敏感器、硅基MEMS陀螺、MEMS石英音叉陀螺、MEMS磁强计、北斗-II/GPS接收机等自主研发的MEMS器件及微系统。同时还成功研制并发射皮型ZJ-1（100克量级）MEMS技术试验卫星，采用单板集成的综合电子系统，搭载试验商用微型CMOS相机，MEMS磁强计、新型商用电子元器件。MEMS的芯片制造过程是怎么样的？上海MEMS微纳米加工产业化

MEMS微纳米加工的未来发展是什么？上海MEMS微纳米加工产业化

MEMS四种刻蚀工艺的不同需求：

高深宽比：硅蚀刻工艺通常需要处理高深宽比的问题，如应用在回转仪(gyroscopes)及硬盘机的读取头等微机电组件即为此例。另外，此高深宽比的特性也是发展下一代晶圆级的高密度构造连接上的解决方案。考虑到有关高深宽比的主要问题，是等离子进出蚀刻反应区的状况：包括蚀刻剂进入蚀刻接口的困难程度(可借助离子击穿高分子蔽覆层实现)，以及反应副产品受制于孔洞中无法脱离。在一般的等离子压力条件下，离子的准直性(loncollimation)运动本身就会将高深宽比限制在约50:1。另外，随着具线宽深度特征离子的大量转移，这些细微变化可能会改变蚀刻过程中的轮廓。一般说来，随着蚀刻深度加深，蚀刻剂成分会减少。导致过多的高分子聚合反应，和蚀刻出渐窄的线宽。针对上述问题，设备制造商已发展出随着蚀刻深度加深，在工艺条件下逐渐加强的硬件及工艺，这样即可补偿蚀刻剂在大量离子迁徙的变化所造成的影响。 上海MEMS微纳米加工产业化